Статья на тему Тезисный анализ статей

Фрагмент текста работы:

Соколов Владимир Иванович, Хуинь Конг Ту Влияние пленки пористого кремния на спектральную характеристику кремниевого фотодиода // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2011.

В настоящее время по-прежнему актуальны задачи разработки новых приборов в области науки и техники, в частности влияние пленки пористого кремния, образованной анодным электрохимическим травлением Р-области, на спектральную характеристику кремниевого фотодиода. В этой работе был исследован сформированный слой пористого кремния, который приводит к значительному увеличению спектральной чувствительности во всем спектральном диапазоне, что приводит к временному изменению спектральной чувствительности фотодиода.
Пористость (p) относится к характеристике объемной доли пор материала. Пористый кремний (сокращенно «Ps» или «pSi») представляет собой форму химического элемента кремния, в микроструктуру которого встроены нанопоры, что обеспечивает высокое отношение площади поверхности к объему, порядка 500 м2/см3.
Изучение пористого кремния в работе происходит следующим образом. Слои пористого кремния были сформированы в однокамерной ячейке с платиновыми электродами при комнатной температуре. Плотность тока была фиксированной и равнялась 20 мА/см2, продолжительность составляла 1, 2, 3, 4, 5 мин. В ходе исследования через 2-3 мин были стабильно получены тонкие слои пористого кремния. При увеличении времени выдержки до 4-5 мин часто было трудно получить спектральные характеристики. Эксперимент проводился методом анодной электрохимической коррозии Р-области фотодиодов. Механизмом, определяющим высокую спектральную чувствительность исследуемых фотодиодов, является низкая скорость поверхностной рекомбинации на границе раздела пористого кремния и монокристаллического кремния. При исследовании фотоиндуцированного захвата заряда в пористом кремним был обнаружен компонент фотоЭДС, связанный с областью истощения p-Si на границе с пористым кремнием, и было установлено наличие медленных состояний на поверхности пор.
Эффект снижения спектральной чувствительности можно объяснить тем фактом, что поверхность свежеприготовленного пористого кремния покрыта группами Si-Hx. В пористом кремнии во время хранения происходит окисление кремния и замена групп Si-Hx на группы Si-Ox, то есть происходит дегидрирование поверхности.
Таким образом, образование пористой кремниевой пленки на чувствительной поверхности фотодиода приводит к увеличению его спектральной чувствительности. Результаты исследования в этой статье могут быть использованы при разработке перспективных кремниевых солнечных элементов и оптических фильтров. [1]

Кошевой, В. Л. Исследование кристаллического пористого кремния, полученного методом электрохимического травления с использованием подсветки HeNe лазера / В. Л. Кошевой // Молодой ученый. – 2015.

Пористый слой представлен окисленной поверхностью кремниевых кластеров и квантовых нитей, затем эта монокристаллическая поверхность покрывается атомами водорода, а также гидроксогруппами.
Процесс получения пористого слоя на кристаллическом кремнии осуществляется с помощью процесса электрохимического травления с подсветкой, который протекает в водном растворе на основе плавиковой кислоты с добавлением изопропанола. Освещение осуществлялось гелий-неоновым лазером с длиной волны 632,8 нм. при интенсивности света 1100 мВт/см2).